晶圆清洗及干燥工艺

在前道工序中，晶圆在半导体工艺各种设备传送期间，必须进行清洗。

晶圆在每次的工艺处理过程中都会受到污染，例如空气和部分材质的微细颗粒和杂质、设施、设备和电源线的电磁辐射、晶圆加工测量时光束造成的破坏、工艺和晶圆传送时的静电等。从清洗设备出来后，必须保持干燥状态，称为“干进干出”（Dry-In-Dry-Out）,因为晶圆如果处于含水状态，晶圆表面会迅速氧化，肉眼看不见的水滴会形成水渍影响后续工艺。

晶圆上的颗粒和污染可以通过化学或物理两种方法去除。物理方法包括用刷子机械去除污染或用超声波震动去除污染；化学方法通过化学反应直接溶解污染和颗粒，或者把附着了颗粒或污染的晶圆表面溶解一层薄层。

干燥方面，传统上使用的方法是旋转干燥（Spin Dry）和IPA（异丙醇）干燥。前者是将晶圆放入一个特殊的盒子中，并高速旋转以甩掉水分，该方法设备结构简单，价格低，吞吐量高，但需要灵活性高、能产生静电的零部件。后者是用挥发性IPA蒸汽替换晶圆表面的水分，使之干燥，好处是有利于图形干燥，但需要使用易燃化学品，且容易留下有机物、残留物。除此之外，还有一种干燥方法叫“马兰戈尼干燥”，即将晶圆从顺水中立即送入IPA蒸汽替换晶圆表面的水分使之干燥，如此可以减少IPA的用量，但吞吐量较少，有机物有残留。

晶圆清洗机

·         APM1#液去表面颗粒及金属杂质

·         HPM2#液去金属粒子

·         SPM3#液,去污及部分金属

·         DHF去氧化层和金属粒

·        QDR去离子水冲洗