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光刻机 -匀胶显影工艺前后的主要设备
光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻,所以叫 Mask Alignment System. 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、匀胶(旋涂光刻胶)、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。 Photolithography(光刻) 意思是用光来制作一个图形(工艺); 在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
来源: | 作者:pmoe2a7d5 | 发布时间: 2020-03-27 | 6624 次浏览 | 分享到:


模对准曝光机 光源波长 350 nm -450 nm 

生产集成电路的简要步骤: 利用模版去除晶圆表面的保护膜。 将晶圆浸泡在腐化剂中,失去保护膜的部分被腐蚀掉后形成电路。 用纯水洗净残留在晶圆表面的杂质。 其中曝光机就是利用紫外线通过模版去除晶圆表面的保护膜的设备。 一片晶圆可以制作数十个集成电路,根据模版曝光机分为两种: 模版和晶圆大小一样,模版不动。 模版和集成电路大小一样,模版随曝光机聚焦部分移动。 其中模版随曝光机移动的方式,模版相对曝光机中心位置不变,始终利用聚焦镜头中心部分能得到更高的精度。成为的主流 [1]  。 主要厂商编辑 曝光机是生产大规模集成电路的核心设备,制造和维护需要高度的光学和电子工业基础,世界上只有少数厂家掌握。因此曝光机价格昂贵,通常在 3 千万至 5 亿美元。 ASML 尼康 佳能 欧泰克 上海微电子装备 SUSS ABM, Inc. 品牌编辑 光刻机的品牌众多,根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类: 高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种,分辨率通常七纳米至几微米之间,高端光刻机号称世界上最精密的仪器,世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花,其制造难度之大,全世界只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要以荷兰ASML(镜头来自德国),日本Nikon(intel曾经购买过Nikon的高端光刻机)和日本Canon三大品牌为主。 位于我国上海的SMEE已研制出具有自主知识产权的投影式中端光刻机,形成产品系列初步实现海内外销售。正在进行其他各系列产品的研发制作工作。
生产线和研发用的低端光刻机为接近、接触式光刻机,分辨率通常在数微米以上。主要有德国SUSS、美国MYCRO NXQ4006、以及中国品牌。 分类编辑 光刻机一般根据操作的简便性分为三种,手动、半自动、全自动 A 手动:指的是对准的调节方式,是通过手调旋钮改变它的X轴,Y轴和thita角度来完成对准,对准精度可想而知不高了; B 半自动:指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐; C 自动: 指的是 从基板的上载下载,曝光时长和循环都是通过程序控制,自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。 紫外光源编辑 曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。 常见光源分为: 可见光:g线:436nm 紫外光(UV),i线:365nm 深紫外光(DUV),KrF 准分子激光:248 nm, ArF 准分子激光:193 nm 极紫外光(EUV),10 ~ 15 nm 对光源系统的要求 a.有适当的波长。波长越短,可曝光的特征尺寸就越小;[波长越短,就表示光刻的刀锋越锋利,刻蚀对于精度控制要求越高。]