相关概念

晶圆工艺：对硅晶圆进行加工的工艺，主要是前段制程。

镜面：硅晶圆的表面，硅晶圆在硅锭锯成圆盘状后，对晶圆表面进行抛光处理，降低晶圆表面的粗糙度，因为像镜子一样，所以叫“镜面”；

磨砂面：晶圆的背面由于不需要进行太多工艺，一般仅进行粗糙的研磨，看起来有磨砂的感觉，所以叫“磨砂面”。

循环型工艺：前段制程是需要多次重复相同的工序进行产品生产的方式，因此称为“循环型工艺”。

前端工艺（Front-End-of-Line, FEOL）：指在硅晶圆上构建集成电路（LSI/芯片）的微细化加工过程，核心是通过物理和化学工艺形成晶体管、电容等基础元件，实现电路功能。其核心目标是追求微细化，遵循摩尔定律提升芯片集成度。

后端工艺（Back-End-of-Line, BEOL）：指将晶圆切割为独立芯片并进行封装测试的环节，核心是保护芯片并实现外部电气连接，最终形成可使用的半导体产品。

半导体制程：

半导体制程主要分为前段制程（Front-End）和后段制程（Back-End）。

前段制程主要是指在硅晶圆上制造LSI芯片的工程，包括微细化加工和晶格恢复处理等物理及化学方面的工艺。

具体步骤包括：

清洗：去除晶圆表面杂质。

离子注入和热处理：改变硅的电学性质。

光刻：通过光敏化合物和紫外光将电路图案转移到晶圆上。

刻蚀：去除不需要的材料，揭示电路图案。

成膜：在晶圆上形成绝缘层、导体层、半导体层等。

平坦化（CMP）：对晶圆表面进行平坦化处理，以提高后续工艺的覆盖率和精确度。

前段制程也被称为“循环型工艺”，因为这些步骤会多次重复进行。此外，前段制程还可以细分为前端工艺（FEOL）和后端工艺（BEOL），其中FEOL主要负责形成晶体管等元件，BEOL负责形成连接元件的金属布线。