一、光刻胶的分类

        光刻胶是一种在半导体制造中使用的材料，用于制造微芯片和集成电路。光刻胶的分类通常可以基于以下几个方面：

1.化学成分： 光刻胶可以根据其化学成分的不同进行分类，分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶是光照射不到的地方留下图形。负性光刻胶是光照射到的地方留下图形。例如：

正胶（Positive Photoresist）： 曝光后变得更容易被溶解的光刻胶，未曝光区域保留。常见的正胶有novolac型正胶等。

负胶（Negative Photoresist）： 曝光后变得更难被溶解的光刻胶，曝光区域保留。负胶的例子包括methacrylate型负胶等。

2.敏感波长： 光刻胶对曝光的光波长也有不同的选择，例如：

紫外线光刻胶（UV Photoresist）： 对紫外线敏感，常见波长为365nm或248nm。

深紫外线光刻胶（DUV Photoresist）： 对更短波长的深紫外线（193nm或更短）敏感，用于更高分辨率的制程。

3.用途和性能： 光刻胶还可以根据其在制造过程中的具体用途和性能进行分类，例如：

用于多层工艺的光刻胶： 适用于多次重复光刻步骤的材料。

高温光刻胶： 能够在高温条件下保持稳定性的光刻胶，用于某些特殊制程。

以上是光刻胶涂布工艺一些常见的分类方式，具体的分类还可能涉及到更多的特性和要求，根据具体应用和工艺的需要而选择不同类型的光刻胶。

二、光刻胶涂布工艺感光机理

      光刻胶涂布是半导体制造中的关键工艺步骤，用于制备芯片上的图案。以下是光刻胶涂布工艺和感光机理的基本概念：

光刻胶涂布工艺：

基片准备： 首先，硅基片会经过一系列清洗和处理步骤，以确保表面干净，并且能够更好地与光刻胶结合。

涂布光刻胶： 在基片表面涂布光刻胶，通常采用旋涂的方式。旋涂是将光刻胶滴在基片上，然后通过旋转基片使其均匀分布。

预烘烤： 涂布后，光刻胶需要进行短暂的预烘烤，以去除溶剂，使其更加均匀。

曝光： 使用光刻机，通过光掩模将光刻胶的特定区域曝光于紫外光。光刻机会投射光刻胶表面的图案，使其在曝光区域发生化学或物理变化。

后烘烤： 曝光后，光刻胶需要进行后烘烤，以进一步固化和稳定曝光后的图案。

显影： 通过显影液处理，去除未曝光区域的光刻胶，留下曝光区域的图案。

清洗： 最后，清洗基片以去除显影液等残留物，准备进行下一步工艺。

感光机理：

光刻胶的感光机理涉及到化学反应。在曝光过程中，光刻胶中的感光剂会吸收紫外光能量，导致发生化学变化。这种变化通常表现为感光胶的溶解性或化学性质的改变。具体感光机理可能因所使用的光刻胶而异，但一般包括以下步骤：