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通常，电子束光刻主要流程依次为：基片表面预处理、涂覆光刻胶、前烘、电子束曝光、显影、定影、金属沉积及去胶等工艺环节。整个光刻工艺流程较复杂，总体光刻示意图如下。

(1) 基片表面预处理

硅片表面粗糙度、热膨胀系数低，光刻中通常采用硅片作为基底。为确保光刻胶涂覆均匀，需要使用化学溶液对表面进行清洗，再用去离子水漂洗并干燥。

(2）光刻胶涂敷

涂胶有旋涂法、喷涂法和定量滴胶等方法。考虑胶黏度等因素，涂覆厚度一般不大于1微米，通常采用旋涂法。将光刻胶滴在硅片中心处，使硅片高速旋转，光刻胶在离心力的作用下均匀铺满整个硅 片。

(3)前烘

前烘的目的是挥发掉光刻胶中的溶剂，增强光刻胶与硅片的结合力。前烘过度会导致胶膜硬化，不利于其内应力的消除，前烘不足溶剂挥发不完全，胶膜则会出现缺陷，显影时存在浮胶现象。

(4)曝光

电子束光刻工序中最复杂的一步是曝光，曝光的图形尺寸精度直接影响零件的尺寸精度。曝光剂量对曝光效果的影响较大，若曝光剂量不足，显影时会出现光刻胶残留在硅片表面，显影图案不完整、形状不规则。

(5)显影

显影液能溶解光刻胶被曝光的部分(正胶)或未被曝光的部分(负胶)，是产生图形的关键工艺。显影工艺的因素有显影液类型的确定和显影时间的控制、显影液的配比、温度。

(6)坚膜

坚膜又称作硬烘，目的是通过烘烤使光刻胶胶模中残留的显影液和定影液挥发，提高光刻胶与基片之间的结合力，由于光刻胶的种类及旋涂后的胶膜厚度不同烘烤的温度时间，若坚膜不到位可能会出现胶膜倒塌的情况。

电子束光刻是迄今为止分辨率最高的光刻技术，直写式的方法不需要昂贵且费时的掩模版，加工灵活，已经引起广泛的重视，随着产业界对MEMS技术要求的不断提高，电子束光刻已逐渐成为MEMS工艺的新支柱。